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徑跡蝕刻技術(shù)基礎(chǔ)

更新時間:2023-04-04      點擊次數(shù):1057

原始聚合物薄膜的整經(jīng)

重離子由離子源產(chǎn)生,然后通過回旋加速器加速至高達 4 MeV/uma 的能量。

對于束流,聚合物薄膜通過掃描離子束在真空下以恒定速度展開;因此,軌道密度(或所需的孔密度)由離子束強度和薄膜速度精確定義。

將薄膜拉到彎曲輥上以增加軌道的角度范圍,從而通過避免平行雙軌道來提高膜過濾器的選擇性。

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橫梁聚合物薄膜的化學蝕刻

束流過程中產(chǎn)生的線性軌道主要以大分子斷鏈、高親水性化學基團和自由真空為特征。

因此,軌道比周圍的本體聚合物對化學物質(zhì)更敏感,并且可以被選擇性地蝕刻,從而導致它們暴露在孔隙中。

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化學蝕刻通常是在控制良好的濃度和溫度下使用堿性水溶液進行的。其主要特征在于軌道蝕刻速率(V t )和體蝕刻速率(V g )。 需要高比率 V t / V g才能獲得具有圓柱形孔的均質(zhì)膜過濾器。


孔徑由蝕刻條件定義,而孔密度由光束參數(shù)定義。因此可以獨立地選擇孔徑和孔密度。


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